Diferencias

Muestra las diferencias entre dos versiones de la página.

--- doc:tec:lab:fa:elektor83_compo:disipador [2025/12/12 19:50] – creado fepg
+++ doc:tec:lab:fa:elektor83_compo:disipador [2025/12/12 20:21] (actual) – [Respuesta] fepg
@@ Línea 24: / Línea 24: @@
 **Temperatura ambiente en disipador**
-  * T<sub>d</sub> = T<sub>a</sub> + P * R</sub>θda</sub> = 25 + 85 * 0,65 = 80,25 ºC.[1]
+  * T<sub>d</sub> = T<sub>a</sub> + P * R<sub>θda</sub> = 25 + 85 * 0,65 = 80,25 ºC.[1]
 **Temperatura de unión**
@@ Línea 40: / Línea 40: @@
   * [8](https://gredos.usal.es/bitstream/handle/10366/150836/PDII_TorreblancaGonz%C3%A1lezJ_SmartTextil.pdf?sequence=1&isAllowed=y)
   * [9](https://www.forosdeelectronica.com/threads/c%C3%A1lculo-b%C3%A1sico-de-disipadores-de-calor.19480/page-8)
+  * [10](https://www.solidaridadobrera.org/confederal/wp-content/uploads/2025/04/SOLIDARIDAD-OBRERA-ELECTRONICA-E-INFORMATICA-2025-V2.0.pdf)
+\\
+Otras simulaciones indican que:
+  * El transistor con encapsulado TO-3 disipando 85 W alcanza una temperatura de unión de aproximadamente 101 ºC, asumiendo una temperatura ambiente típica de 25 ºC.
+  * **Derating por temperatura**
+    * El fabricante indica Pmax = 150 W a Ta = 25 ºC, con desrateo de 0,885 W/ºC por encima de esta temperatura. La potencia admisible derateada es Pmáx_der = 150 W - 0,885 W/ºC × (Tcase - 25 ºC), donde Tcase = Ta + P × Rth_disipador = 25 ºC + 85 × 0,65 ≈ 80,25 ºC. Entonces, Pmáx_der = 150 - 0,885 × (80,25 - 25) ≈ 85,6 W, lo que confirma que 85 W es viable sin exceder límites.
+  * **Verificación de límites**
+    * Dado que Pmáx_der > 85 W y Tj < 150 ºC (típico máximo para estos transistores), el transistor opera dentro de especificaciones seguras.
+    * Si Ta aumenta (ej. 40 ºC), recalcular Tcase y derateo para evitar sobrecalentamiento.
+  * [1](https://www.fceia.unr.edu.ar/microelectronica/archivos/disipa.pdf)
+  * [2](https://es.scribd.com/document/452208161/Apuntes-Potencia-Marzo-2018-pdf)
+  * [3](https://www.reddit.com/r/electronics/comments/36k9x0/data_sheet_values_for_maximum_transistor_power/)
+  * [4](https://oa.upm.es/60411/1/TFG_ALBERTO_JOSE_RUIZ_MERCHAN.pdf)
+  * [5](https://www.mouser.es/ProductDetail/Diodes-Incorporated/DMN3150L-7?qs=mno522deGfZCw%252Bicfps6KQ%3D%3D)
+  * [6](https://www.upct.es/~ditf/rmh.pdf)
+  * [7](https://www.youtube.com/watch?v=x8nKy71afas)
+  * [8](https://gredos.usal.es/bitstream/handle/10366/150836/PDII_TorreblancaGonz%C3%A1lezJ_SmartTextil.pdf?sequence=1&isAllowed=y)
+  * [9](https://es.rs-online.com/web/p/transistores-bipolares/0299351)
   * [10](https://www.solidaridadobrera.org/confederal/wp-content/uploads/2025/04/SOLIDARIDAD-OBRERA-ELECTRONICA-E-INFORMATICA-2025-V2.0.pdf)
 \\