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| doc:tec:lab:fa:elektor83_compo:disipador [2025/12/12 19:50] – fepg | doc:tec:lab:fa:elektor83_compo:disipador [2025/12/12 20:21] (actual) – [Respuesta] fepg | ||
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| + | Otras simulaciones indican que: | ||
| + | * El transistor con encapsulado TO-3 disipando 85 W alcanza una temperatura de unión de aproximadamente 101 ºC, asumiendo una temperatura ambiente típica de 25 ºC. | ||
| + | * **Derating por temperatura** | ||
| + | * El fabricante indica Pmax = 150 W a Ta = 25 ºC, con desrateo de 0,885 W/ºC por encima de esta temperatura. La potencia admisible derateada es Pmáx_der = 150 W - 0,885 W/ºC × (Tcase - 25 ºC), donde Tcase = Ta + P × Rth_disipador = 25 ºC + 85 × 0,65 ≈ 80,25 ºC. Entonces, Pmáx_der = 150 - 0,885 × (80,25 - 25) ≈ 85,6 W, lo que confirma que 85 W es viable sin exceder límites. | ||
| + | * **Verificación de límites** | ||
| + | * Dado que Pmáx_der > 85 W y Tj < 150 ºC (típico máximo para estos transistores), | ||
| + | * Si Ta aumenta (ej. 40 ºC), recalcular Tcase y derateo para evitar sobrecalentamiento. | ||
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